VSim 12.0 發佈
網路研討會

瞭解如何利用VSim 12.0中的新功能提高效率並簡化工作流程 

VSim 12.0

VSim 12 建立在研究人員和工程師使用超過 20 年的強大 Vorpal 物理引擎之上,提供了新的反應功能、使用者示例和旨在提高使用者效率的眾多改進。

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新功能和改進包括:

  • 靈活的反應框架 
  • 氣體排放分解
  • 改進的可控重量顆粒
  • 改進了圓柱座標中的粒子性能
  • 參數掃描
  • 可視設置中可用的外部電路
  • 改進的可視化持久性
  • 從可視化介面創建的模擬視頻
  • 其他 CSG 選項
  • 改進的歷史記錄
  • 反應診斷
  • 磁控濺射示例
  • 湯森德放電與參數掃描
  • 時間平均分析儀
  • 點積分析儀

特色網路研討會

電容耦合等離子體的PIC-MCC建模中的高級問題

電容耦合等離子體的PIC-MCC建模中的高級問題

由於有許多數值和建模選擇,使用單元內粒子/蒙特卡羅碰撞(PIC-MCC)方法對電容耦合等離子體進行建模存在挑戰。為了培養對這些類比的信心,特納 Et.al。[“低壓等離子體的模擬基準”,Phys. Plasmas,20,1-11,2013]為驗證PIC-MCC代碼創建了嚴格的基準。我們將討論VSim對此基準測試的建模,基準測試的局限性以及對軟體用戶的影響。

VSim 12.0 示例

townsendVizWinHeliumCount

湯森放電參數掃描

快速計算湯森係數。

cyl磁控濺射BfieldSecElecVizWin

磁控濺射

磁控濺射的最佳設置條件。

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