瞭解如何利用VSim 12.0中的新功能提高效率並簡化工作流程
VSim 12 建立在研究人員和工程師使用超過 20 年的強大 Vorpal 物理引擎之上,提供了新的反應功能、使用者示例和旨在提高使用者效率的眾多改進。
由於有許多數值和建模選擇,使用單元內粒子/蒙特卡羅碰撞(PIC-MCC)方法對電容耦合等離子體進行建模存在挑戰。為了培養對這些類比的信心,特納 Et.al。[“低壓等離子體的模擬基準”,Phys. Plasmas,20,1-11,2013]為驗證PIC-MCC代碼創建了嚴格的基準。我們將討論VSim對此基準測試的建模,基準測試的局限性以及對軟體用戶的影響。
快速計算湯森係數。
磁控濺射的最佳設置條件。
使用 VSim 探索腔體磁控管的基本物理特性岳國華博士
用於太赫茲波生成的介電負載矩形波導的三維CFDTD PIC模擬林明傑博士
使用 VSim 類比低溫氣體放電湯姆·詹金斯博士
VSim 的介紹性概述以及霍爾推進器示例丹尼爾·默里博士
使用 VSim 優化您的磁控濺射設置丹尼爾·梅因博士
在VSim中類比歐姆表面損耗大衛·斯密特博士