VSimPD for Plasma Wafer Etching

低溫電漿的一個常見用途是在被稱為晶圓蝕刻的領域,其中電漿衝擊晶圓,以蝕刻各種微電子裝置,如記憶體。這種方法的一個優點是,蝕刻更乾淨、更均勻,從而實現更好的品質控制 。離子是進行蝕刻的電漿物種,因為其質量較大。我們把這種應用廣泛地稱為 "電漿材料處理"。在電漿材料處理中,電漿是用電容耦合法(CCP)或電感耦合法(ICP)或兩者的組合產生的。在我們的例子中,我們假設在模擬中預加載了電漿。

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使用VSim,您可以對所有電漿物種進行動力學模擬,以便正確計算每個時間步驟的電場。這對於正確計算鞘電場(sheath electric field)是非常重要的,鞘電場直接影響到離子的衝擊能量和角度。您可以使用VSim的直觀界面來創建和可視覺化晶圓和周圍的電介質,這有助於創建一個更均勻的晶圓。
一旦模擬完成,您可以使用我們的客製化的分析器computeAED.py來計算角度-能量分佈函數。這個分析器將來自任何動能物種(離子或電子)的能量和角度的數據沿任何表面(如晶圓)進行分類。您也可以根據您選擇的時間間隔進行時間分選。

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