VSimPD for Plasma Wafer Etching

低温等离子体的一个常见用途是在被称为晶圆蚀刻的领域,其中等离子体冲击晶圆,以蚀刻各种微电子装置,如存储器。这种方法的一个优点是,蚀刻更干净、更均匀,从而实现更好的质量控制。离子是进行蚀刻的等离子体物种,因为其质量较大。我们把这种应用广泛地称为 "等离子体加工"。在等离子体加工中,等离子体是用电容耦合法(CCP)或电感耦合法(ICP)或两者的组合产生的。在我们的例子中,我们假设在模拟中预加载了等离子体。

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使用VSim,您可以对所有等离子体物种进行动力学模拟,以便正确计算每个时间步骤的电场。这对于正确计算鞘电场(sheath electric field)是至关重要的,鞘电场直接影响到离子的冲击能量和角度。您可以使用VSim的直观界面来创建和可视觉化晶圆和周围的电介质,这有助于创建一个更均匀的晶圆。
一旦模拟完成,您可以使用我们的定制分析器computeAED.py来计算角度-能量分布函数。这个分析器将来自任何动能物种(离子或电子)的能量和角度的数据沿任何表面(如晶圆)进行分类。您也可以根据您选择的时间间隔进行时间分选。

准备好评估 VSim 了吗?

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