多重電子倍增
多重電子倍增，即二次電子的共振堆積，是在射頻設備中經常被關心的現象，因為加速的共振電子會轟擊腔壁。隨著多重電子倍增的持續，二次電子會出現指數級的堆積，從而導致強烈的熱效應，影響到腔體的完整性，並導致巨大的功率損失。準確預測多重電子倍增效應對於優化射頻腔設計來說相當重要。
VSim的多重電子倍增求解器可與導入的外部場一起使用。粒子發射面是可以客製化的，預建的或客製化的二次發射產量模型可被導入到多重電子倍增模擬中。 電子軌跡也可以用 VSim 追蹤。
在 VSim 中，每個粒子都有一個縮放參數 ，可使電磁場成倍增加，從而允許多個功率或電壓級別同時存在。使用這些「場縮放」粒子允許在一次運算中掃描多個功率層級。
使用 VSim，可以在一個模擬中與可變耦合電子計算多功率層級的多重電子倍增，從而能夠快速發現帶狀線中的共振截止點。