VSimVE Vacuum Electronic and Microwave Device Simulations
VSimVE is an optimized computational application for simulating microwave and vacuum microwave devices. VSimVE can simulate particle physics such as Child-Langmuir space-charged limited emission and Fowler-Nordheim tunneling emission and provides performance diagnostics such as power, voltage, and electron currents. With VSimVE, multipacting at multiple power levels can be computed in a single simulation run, and simulations run rapidly using algorithms designed for high-performance computing systems.
Powerful post-processing and advanced visualization capabilities offer detailed profile and particle distribution data. Featuring the full suite of electromagnetic and particle modeling features and used in the design cycle of components from klystrons to magnetrons, VSimVE is the ideal simulation tool for today’s RF and microwave engineers.
"在设计我们的阶梯型行波管(TWT)时,VSim对我们来说是非常宝贵的。我们没有其他代码可以提供这种设备的非线性射束动力学。如果没有 VSim 的分布式计算能力,这些运行将需要几个月的时间,因此实际上是不可能的。此外,Tech-X的支持人员在设置我们的问题并使我们获得解决方案方面提供了很大的帮助"。
Professor Heather Song
University of Colorado at Colorado Springs
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VSimVE Vacuum Electronic Simulation Advantages
- 用于复杂模拟的FDTD代码
- 用于动力学粒子模拟的粒子式(PIC)算法
- 全套的电磁和粒子模拟功能
- 高性能计算能力
- 记录的准确性
- 功能强大、用途广泛的后处理
- 与所有VSim模块无缝整合
- 强大的文档和教程
- 卓越的客户支持
VSimVE Capabilities
- 计算机辅助设计(CAD)模型导入
- 通过用户界面轻松建模
- 可定制的材料
- 部分透明吸收体
- 无损和有损
- 各向同性和非各向同性
- 二阶色散性的
- 表面发射
- 电子诱导的表面发射
- 受控发射
- 场标粒子
- 空间电荷限制发射
- 热电子发射
- 用于收集极分析的次级发射粒子源
- 动态粒子权重设置
- 粒子汇槽
- 端口模式
- 离散元件和面端口
- 椭圆偏振的平面波
- 全场和散射场
- 波导端口
- 基于安培定律的电流源
- 电路方程
- Cerenkov噪声过滤器
- 多重电子倍增
- 操作模式
- 功率
- S-参数
- 电压
- 电子追踪
- 电子电流
- 电子相位空间
- 使用频率提取法进行模式计算
- 场和粒子的历史和反馈
- 相位空间分析
- 粒子追踪
- 准确的金属墙面的嵌入式边界
- 端口边界: 输入和输出
- 吸收和反射的边界
- 周期性和相移性条件
- Dey-Mittra严密格网的切割网格算法
- 电阻式壁损耗的计算
- PML和MAL的边界
- 场发射
- Fowler-Nordheim 发射
- 激光诱导发射
- 指定的发射
- 分析和导入静磁场的能力
- 反馈控制